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MCP14700-E/MF

双输入同步MOSFET驱动器

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描述: 是一款高速同步MOSFET驱动器，旨在优化驱动高端和低端N沟道MOSFET。特别适合驱动低FOM MOSFET，包括Microchip的MCP87000系列高速MOSFET。有两个PWM输入，允许独立控制外部N沟道MOSFET。
品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: MCP14700-E/MF
商品编号: C220821
商品封装: TDFN-8-EP(3x3)
包装方式: 管装
商品毛重: 2.76克(g)

商品参数

	属性	参数值
	上升时间(tr)	10ns
	下降时间(tf)	6ns
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-40℃~+125℃@(Tj)
	输入高电平(VIH)	1.4V~1.8V
	输入低电平(VIL)	1.1V~1.3V
	静态电流(Iq)	45uA

商品概述

MCP14700是一款高速同步MOSFET驱动器，旨在优化驱动高端和低端N沟道MOSFET。它特别适合驱动低品质因数（FOM）MOSFET，包括Microchip的MCP87000系列高速MOSFET。MCP14700有两个PWM输入，可独立控制外部N沟道MOSFET。由于没有内部交叉导通保护电路，外部MOSFET的死区时间可以得到精确控制，从而实现更高效的系统或独特的电机控制算法。 PWM输入的转换阈值在PWM输入信号上升时通常为1.6V，在PWM输入信号下降时通常为1.2V。这使得MCP14700非常适合采用3.0V TTL/CMOS逻辑的控制器。PWM输入内部下拉，确保在输入悬空时输出驱动信号为低电平。 MCP14700器件的HIGHDR和LOWDR峰值源电流能力通常为2A。虽然HIGHDR的典型峰值灌电流为2A，但LOWDR的典型峰值灌电流为3.5A。低电阻上拉和下拉驱动使MCP14700能够在通常10 ns内快速转换3300 pF的负载。高端驱动的自举功能在内部实现，可降低系统成本和设计复杂度。 MCP14700具有欠压锁定（UVLO）功能，典型迟滞为500 mV。该器件还具备带迟滞的过温保护功能。

商品特性

非常适合驱动低品质因数（FOM）MOSFET，如Microchip的MCP87000 MOSFET系列
高端和低端栅极驱动独立PWM输入控制
输入逻辑电平阈值与3.0V TTL兼容
用于同步应用的双输出MOSFET驱动
高峰值输出电流：2A（典型值）
内部自举隔离器件
BOOT引脚最高额定电压+36V
低电源电流：45 μA（典型值）
高容性负载驱动能力：10.0 ns内驱动3300 pF（典型值）
输入电压欠压锁定保护
过温保护
节省空间的封装： - 8引脚SOIC - 8引脚3x3 DFN

应用领域

三相无刷直流（BLDC）电机控制
高效同步DC/DC降压转换器
大电流低输出电压同步DC/DC降压转换器
高输入电压同步DC/DC降压转换器
微处理器的核心电压电源

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3.5A
	拉电流(IOH)	2A
	工作电压	4.5V~5.5V