MCP87130T-U/LC
1个N沟道 耐压:25V 电流:43A
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- 描述
- N沟道,25V,43A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MCP87130T-U/LC
- 商品编号
- C220835
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MCP87130是一款N沟道功率MOSFET,采用常见的PDFN 5 mm × 6 mm封装以及PDFN 3.3 mm × 3.3 mm封装。先进的封装和硅处理技术使MCP87130在给定的RDS(ON)值下实现低QG,从而实现低品质因数(FOM)。结合低RG,MCP87130的低FOM可实现高效功率转换,降低开关和传导损耗。
商品特性
- 低漏源导通电阻(RDS(ON))
- 低总栅极电荷(QG)和栅漏电荷(QGD)
- 低串联栅极电阻(RG)
- 能够进行短死区时间操作
- 符合RoHS标准
应用领域
-负载点DC-DC转换器-服务器、网络和汽车应用中的高效电源管理
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