我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
MIC5021YM-TR实物图
  • MIC5021YM-TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MIC5021YM-TR

带电荷泵和过流限制的高速高端MOSFET驱动器

描述
MIC5021高端MOSFET驱动器设计用于高达100 kHz的频率(占空比为2%至100%时,PWM频率为5 kHz),是电机控制、开关模式电源(SMPS)等高速应用以及使用IGBT的应用的理想选择。MIC5021还可作为带或不带自动重试功能的断路器使用。输入的上升沿或下降沿会在栅极输出端产生一个电流源脉冲或电流吸收脉冲
商品型号
MIC5021YM-TR
商品编号
C219110
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
1.7克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置高边
负载类型MOSFET
驱动通道数1
灌电流(IOL)-
工作电压12V~36V
属性参数值
上升时间(tr)400ns
下降时间(tf)400ns
特性过流保护(OCP)
工作温度-40℃~+85℃@(Ta)
静态电流(Iq)1.8mA

商品概述

MIC5021高端MOSFET驱动器设计用于高达100 kHz的频率(占空比为2%至100%时PWM频率为5 kHz),是高速应用(如电机控制、开关模式电源(SMPS))以及使用IGBT的应用的理想选择。MIC5021还可作为带或不带自动重试功能的断路器使用。 输入的上升沿或下降沿会在栅极输出端产生电流源脉冲或灌电流脉冲。该输出电流脉冲可在约550 ns内导通一个2000 pF的MOSFET。必要时,MIC5021随后会提供有限的电流(<2 mA)以维持输出状态。 具有50 mV跳变电压的过流比较器使MIC5021非常适合与电流感应MOSFET配合使用。也可使用外部低值电阻代替感应MOSFET,以实现更精确的过流控制。可在CT引脚与地之间连接一个可选的外部电容,将电流关断占空比(死区时间)控制在20%至<1%之间。若在CT与VDD之间连接一个可选的上拉电阻,占空比可在20%至约75%之间。MIC502x系列的其他产品包括MIC5020低端驱动器和带有交叉导通互锁功能的MIC5022半桥驱动器。MIC5021提供8引脚SOIC和塑料DIP封装。

商品特性

  • 12V至36V工作电压
  • 驱动2000 pF负载时上升/下降时间为550 ns,具有内部下拉电阻的TTL兼容输入
  • 过流限制
  • 栅源保护
  • 内部电荷泵
  • 在全温度和工作电压范围内保证100 kHz的工作频率
  • 与电流感应MOSFET兼容
  • 电流源驱动可降低EMI

应用领域

  • 灯具控制
  • 加热器控制
  • 电机控制
  • 电磁阀开关
  • 开关模式电源
  • 断路器

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

总价金额:

0.00

近期成交1