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YJQ30P06AJ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 湿气敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
应用领域
-电源管理-便携式设备