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DMC2991UDR4-7
N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:0.5A 0.36A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2991UDR4-7
- 商品编号
- C19949268
- 商品封装
- X2-DFN1010-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA；360mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@4.5V；500mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 280pC@4.5V；300pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.6pF；17pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF；2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.7pF；4.1pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RSS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压
- N沟道:最大1.0V
- P沟道:最大 -1.0V
- 低输入/输出泄漏电流
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 背光照明
- 负载开关