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IRLML0030TRPBF-ES
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- IRLML0030TRPBF-ES
- 商品编号
- C19725094
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
AO4614-ES采用先进的沟槽技术MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于许多其他应用。
商品特性
- 30V,VGS = 10 V时,RDS(ON) = 21 mΩ(典型值)
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 25 mΩ(典型值)
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(on)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换