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SSM3J332R-ES
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.8A
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- 描述
- P沟道，-30V，-3.8A，46mΩ@-10V，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SSM3J332R-ES
- 商品编号
- C19725100
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V；62mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
SSM3J332R-ES是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品SSM3J332R-ES为无铅产品。
商品特性
- 30V，栅源电压为 -10V 时，漏源导通电阻 = 46 mΩ（典型值）
- 栅源电压为 -4.5V 时，漏源导通电阻 = 62 mΩ（典型值）
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换