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CJL8810-ES
2个N沟道 耐压:20V 电流:7.6A
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- 描述
- 带ESD保护，2个N沟道，20V，7.6A，13.5mΩ@4.5V,5A，0.7V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- CJL8810-ES
- 商品编号
- C19725084
- 商品封装
- SOT23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
CJL8810-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品CJL8810-ES为无铅产品。
商品特性
- 20V，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 13.5 mΩ（典型值），栅源电压（VGS） = 4.5 V
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） = 16.5 mΩ（典型值），栅源电压（VGS） = 2.5 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换