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AO4443-ES
1个P沟道 耐压:40V 电流:5A
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- 描述
- P沟道，-40V，-5A，38mΩ@-10V,-5A，-1.55V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- AO4443-ES
- 商品编号
- C19725083
- 商品封装
- SOP8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V；48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.55V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
AO4443-ES采用先进的沟槽技术MOSFET，具备出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，也适用于众多其他应用。
商品特性
- -40V时导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 38 mΩ（典型值），VGS = -10V
- 导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 48 mΩ（典型值），VGS = -4.5V
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低导通态漏源电阻（RDS(ON)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换