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VM3001
30V N沟道MOSFET
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- VIVA(昱盛)
- 商品型号
- VM3001
- 商品编号
- C19724718
- 商品封装
- PPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 169W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.1nF |
商品特性
- 漏源电压（VDS）= 250 V，漏极电流（ID）= 150 A，导通电阻（RDS(on)）= 20 mΩ
- 栅极电荷低
- 改善了电压变化率（dv/dt）能力
应用领域
- 开关电源（SMPS）中的高效同步整流
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 硬开关和高频电路