温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G170P06M
1个P沟道 耐压:60V 电流:65A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G170P06M
- 商品编号
- C19673811
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.451nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 343pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 377pF |
商品概述
GC20N65QD采用先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可应用于多种领域。
商品特性
- 漏源电压Vds：650V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：20A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：190mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 超快体二极管
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器