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AUR030N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:195A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻。 TO220&TO263 RDS(on) = 2.8mΩ (典型值)。 TOLL-8L RDS(on) = 2.4mΩ (典型值)。 高速功率开关。 增强型体二极管 dv/dt 能力。 增强型雪崩耐用性。应用：开关电源中的同步整流。 电信和工业领域的硬开关和高速直流/直流电路
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- AUR030N10
- 商品编号
- C19192885
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.413972克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 195A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 138nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
SI9945BDY-T1采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 6.5A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 36mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 48mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源