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ASW60R029EFD
1个N沟道 耐压:650V 电流:90A
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.025Ω（典型值）。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 3.2 至 4.8V。应用：软开关升压 PFC 开关。HB 或 AHB 或 LLC 半桥和全桥拓扑
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASW60R029EFD
- 商品编号
- C19192886
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.896克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V,28A | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 153.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.001nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165.6pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.025Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强模式：Vth = 3.2 至 4.8V
应用领域
- 软开关升压PFC开关
- HB或AHB或LLC半桥和全桥拓扑
- 移相桥（ZVS）
- LLC应用 - 服务器电源
- 电信电源
- 电动汽车充电
- 太阳能逆变器
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
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