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ASW60R029EFD
1个N沟道 耐压:650V 电流:90A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.025Ω（典型值）。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 3.2 至 4.8V。应用：软开关升压 PFC 开关。HB 或 AHB 或 LLC 半桥和全桥拓扑
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASW60R029EFD
- 商品编号
- C19192886
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.896克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 153.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.001nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165.6pF |
商品概述
UM2302是一款低阈值N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻。这一优势为设计人员提供了一款可用于电池和负载管理应用的高效器件。该器件采用节省空间的小外形SOT23 - 3或SOT323封装。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.025Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 3.2至4.8 V
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适用于软开关升压PFC开关、半桥(HB)、有源半桥(AHB)或LLC半桥和全桥拓扑。
- 如移相桥(ZVS)、LLC应用服务器电源、电信电源、电动汽车充电、太阳能逆变器。