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AUD069N10A
1个N沟道 耐压:100V 电流:116A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻。 TO220&TO220F RDS(on) = 5.6mΩ（典型值）。 TO263 RDS(on) = 5.8mΩ（典型值）。 TO252 RDS(on) = 5.9mΩ（典型值）。 高速功率开关。 增强型体二极管dv/dt能力。应用：开关电源中的同步整流。 电信和工业领域的硬开关和高速DC/DC电路
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- AUD069N10A
- 商品编号
- C19192890
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.679507克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 116A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 161W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.861nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 375pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.025Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 3.2至4.8 V
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适用于软开关升压PFC开关、半桥（HB）、有源半桥（AHB）或LLC半桥和全桥拓扑。
- 如移相桥（ZVS）、LLC应用服务器电源、电信电源、电动汽车充电、太阳能逆变器。
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