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ASU65R1K4E
1个N沟道 耐压:655V 电流:4A
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.24Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.5 至 4.5V。应用：软开关升压PFC开关。 半桥、不对称半桥、串联谐振半桥和全桥拓扑
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASU65R1K4E
- 商品编号
- C19192892
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.599656克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 655V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.76nC | |
| 输入电容(Ciss) | 238pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.027Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 3.2 至 4.8 V
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 适用于软开关升压 PFC 开关、半桥（HB）、有源半桥（AHB）或 LLC 半桥及全桥拓扑。
- 如移相桥（ZVS）、LLC 应用服务器电源、电信电源、电动汽车充电、太阳能逆变器。