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ASU65R550E
1个N沟道 耐压:655V 电流:8A
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.50Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：Boost PFC开关。 单端反激或双晶体管正激拓扑
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASU65R550E
- 商品编号
- C19192891
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.581333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 655V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 599pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
UM2301是一款低阈值P沟道MOSFET，具有极低的导通电阻。这一特性为设计人员提供了一种用于电池和负载管理应用的高效器件。该器件采用节省空间的小外形SOT23 - 3或SOT323封装。
商品特性
- 漏源电压（最大值）：-20V
- 低导通电阻：
- 在VGS = -4.5V时为200mΩ
- 在VGS = -2.5V时为250mΩ
- 连续漏极电流（最大值）：
- 在25°C时为 - 1.5A（SOT23 - 3）
- 在25°C时为 - 1.1A（SOT323）
应用领域
- 电池组-电池供电的便携式设备-移动电话和无绳电话
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