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ASW65R031EFD
1个N沟道 耐压:655V 电流:89A
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.027Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 3.2 至 4.8V。应用：软开关升压PFC开关。 HB或AHB或LLC半桥和全桥拓扑
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASW65R031EFD
- 商品编号
- C19192887
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.904克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 655V | |
| 连续漏极电流(Id) | 89A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@10V,28A | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.031nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140.7pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：TO220封装的RDS(ON) = 4.3mΩ（典型值）
- TO263封装的RDS(ON) = 4.2mΩ（典型值）
- 高速功率开关
- 增强型体二极管dv/dt能力
- 增强型雪崩耐用性
应用领域
- 开关电源（SMPS）中的同步整流
- 电信和工业领域的硬开关及高速DC/DC电路