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ASW65R038EFD
1个N沟道 耐压:655V 电流:80A
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.034Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 3 至 5V。应用：软开关升压功率因数校正开关。 HB 或 AHB 或 LLC 半桥和全桥拓扑
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASW65R038EFD
- 商品编号
- C19192888
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.948克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 655V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V,28A | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 158.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.033nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 169pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 直流-直流转换器
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