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JSM6288T

250V三相高低侧功率驱动芯片高低侧同相步进/伺服电机、电动工具等,兼容FD6288T.

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描述: 三相高低侧功率驱动芯片，带上下电保护、欠压保护
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: JSM6288T
商品编号: C19077358
商品封装: TSSOP-20
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1706克(g)

商品参数

商品概述

JSM6288T是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 JSM6288T逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。 JSM6288T的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。 JSM6288T为TSSOP20封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。 JSM6288T是一款三相高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。JSM6288T逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。JSM6288T其浮动通道可用于驱动高压侧 N沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V，该浮动通道需要额外的自举电路支持。另外，JSM6288T的高侧与低侧均包含有欠压保护功能。

商品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为 +250V
兼容 3.3/5V输入逻辑
dVs/dt 耐受能力可达 ±50 V/ns
Vs 负偏压能力达 -9V
栅极驱动电压范围 8V至 20V
高、低侧欠压锁定电路
- 高侧欠压锁定正向阈值 7.1V
- 高侧欠压锁定负向阈值 6.9V
- 低侧欠压锁定正向阈值 7V
- 低侧欠压锁定负向阈值 6.6V
防直通死区逻辑
- 死区时间设定 200ns
芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时 Ton/Toff ≤ 150ns/120ns
- 延迟匹配时间小于 50ns
宽温度范围 -40~125°C
输出级拉电流/灌电流能力 1.5A/1.8A
符合 RoSH标准

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	-
	灌电流(IOL)	1.5A
	拉电流(IOH)	1.8A
	工作电压	8V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	30ns
	下降时间(tf)	30ns
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	230uA