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JSM27511

25V低侧单通道双输入驱动芯片电源、逆变器、充电桩、UPS、电机驱动、DC-DC转换等

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描述: 驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: JSM27511
商品编号: C19077362
商品封装: SOT-23-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0361克(g)

商品参数

商品概述

JSM27511单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）电源开关。采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供到轨驱动能力以及超短的传播延迟。采用SOT23-6封装，可以在 -40°C 至 125°C 温度范围内工作。

商品特性

双输入设计（可选择反相（IN-引脚）或非反相（IN+引脚）驱动器配置）
未使用的输入引脚可用于使能或禁用功能
兼容 TTL 和 CMOS 逻辑输入
工作范围：4.5V~25V
宽温度范围：-40°C~125°C
宽输入范围：-10V~25V
欠压锁定
- 欠压锁定正向阈值 4.3V
- 欠压锁定负向阈值 4.1V
芯片开通/关断延时特性
- Ton/Toff = 30ns/30ns
驱动电流能力
- 拉电流/灌电流 = 4A/4A
SOT23-6 封装

应用领域

开关电源
DC-DC 转换器
用于数字电源控制器的伴随栅极驱动器器件
太阳能
电机控制
不间断电源（UPS）
GaN 栅极驱动器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A

	属性	参数值
	工作电压	4.5V~25V
	上升时间(tr)	10ns
	下降时间(tf)	8ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃