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JSM27519

25V低侧单通道双输入驱动芯片 电源、逆变器、充电桩、UPS、电机驱动、DC-DC转换等

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描述
JSM27519 器件是一款用于低电压功率 MOSFET 和 IGBT 的同相栅极驱动器。专有的抗闭锁 CMOS 技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。JSM27519 的逻辑输入电平与低至 3 的 CMOS 或 TTL 逻辑输出电平兼容
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
JSM27519
商品编号
C19077364
商品封装
SOT-23-5​
包装方式
编带
商品毛重
0.0243克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数1
灌电流(IOL)4A
拉电流(IOH)4A
工作电压5V~25V
上升时间(tr)5ns
下降时间(tf)4ns
属性参数值
传播延迟 tpLH25ns
传播延迟 tpHL25ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)2.7V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)280uA
功能特性使能关断

商品概述

JSM27519是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。其专有的抗闩锁CMOS技术实现了高鲁棒性的单芯片集成架构。该器件逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定以及输出电流缓冲级。可在-40℃~125℃的温度范围内工作。

商品特性

  • 输入输出同相
  • 兼容3.3V、5V、15V输入逻辑
  • 输入电压范围:-10V~25V
  • 输出拉电流/灌电流能力:4A/4A
  • 工作电压范围:5V~25V
  • 高电容负载驱动能力
  • 宽工作温度范围:-40℃~125℃
  • 欠压锁定:正向阈值4.5V,负向阈值4.2V
  • 芯片开通/关断延迟时间:Ton/Toff = 30ns/30ns
  • 符合RoHS标准,采用SOT23-5封装

应用领域

  • 开关电源
  • 开关变换器
  • 通用栅极驱动器
  • 驱动MOSFET和IGBT

数据手册PDF