JSM6288Q
250V三相高低侧功率驱动芯片 高低侧同相 步进/伺服电机、电动工具等兼容FD6288Q.
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此版本为高欠压VCC≥8V；C52196409为低欠压VCC≥5V；三相高低侧栅极驱动芯片，大电流带欠压保护兼容FD6288Q。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM6288Q
- 商品编号
- C19077370
- 商品封装
- QFN-24
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1161克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边；低边；三相 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | 1.8A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 8V~20V | |
| 上升时间(tr) | 30ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 230uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
JSM6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺，可在单芯片内集成高侧和低侧栅极驱动电路。该器件具备独立的高侧和低侧参考输出通道。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑电平，输出级具有大电流脉冲驱动能力，并集成了防止直通的死区逻辑。芯片的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，其浮地通道最高工作电压可达+250V。JSM6288提供TSSOP20和QFN24两种封装选项，工作温度范围为-40°C ~ 125°C。
商品特性
- 支持自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为+250V
- 兼容3.3V/5V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达±50 V/ns
- Vs负偏压能力达-9V
- 栅极驱动电压范围8V ~ 20V
- 高侧和低侧均集成欠压锁定电路
- 高侧欠压锁定正向阈值7.1V，负向阈值6.9V
- 低侧欠压锁定正向阈值7V，负向阈值6.6V
- 集成防直通死区逻辑
- 死区时间设定为200ns
- 开通传输延时150ns，关断传输延时120ns
- 延迟匹配时间小于50ns
- 工作温度范围-40°C ~ 125°C
- 输出级拉电流能力1.5A，灌电流能力1.8A
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制
- 空调
- 洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动