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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

JSM5108G

N+N 250V单相桥半桥驱动芯片 高同低反 电池设备、步进/伺服电机驱动、水泵/热泵控制器、电动车、童车、平衡车、电机控制器、电动工具等 兼容FD2103S、XJNG2103、EG2131等

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描述
单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
JSM5108G
商品编号
C19077360
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.148175克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边;高边
负载类型MOSFET
灌电流(IOL)1.5A
拉电流(IOH)1.2A
工作电压6V~20V
属性参数值
上升时间(tr)50ns
下降时间(tf)40ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)190uA

商品概述

JSM5108G是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOP-8封装,可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

商品特性

  • 自举工作的浮地通道
  • 最高工作电压为 +250V
  • 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
  • dVs/dt耐受能力可达 ±50V/ns
  • Vs负偏压能力达 -9V
  • 栅极驱动电压从5V到20V
  • 集成欠压锁定电路
    • 欠压锁定正向阈值4.4V
    • 欠压锁定负向阈值4.2V
  • 防直通死区逻辑
    • 死区时间设定200ns
  • 芯片传输延时特性
    • 开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/140ns
    • 延迟匹配时间50ns
  • 宽温度范围 -40°C至125°C
  • 输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
  • 符合RoSH标准
  • SOP-8

应用领域

  • 电机控制
  • 空调/洗衣机
  • 通用逆变器
  • 微型逆变器驱动

数据手册PDF