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JSM5109G

N+N 250V单相桥半桥驱动芯片高低侧同相电池设备、步进/伺服电机驱动、水泵/热泵控制器、电动车、童车、呼吸机、电机控制器、电动工具等

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描述: JSM5109G是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低至3.3V
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: JSM5109G
商品编号: C19077361
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.145475克(g)

商品参数

商品概述

JSM5109G是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOP-8封装，可以在 -40°C 至 125°C 温度范围内工作。

商品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为 +250V
兼容3.3V,5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达 ±50V/ns
Vs负偏压能力达 -9V
栅极驱动电压从6V到20V
集成欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值5.5V
- 欠压锁定负向阈值5V
防直通死区逻辑
- 死区时间设定200ns
芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/140ns
- 延迟匹配时间50ns
宽温度范围 -40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
符合RoSH标准
SOP - 8

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1.5A
	拉电流(IOH)	1.2A

	属性	参数值
	工作电压	9V~20V
	上升时间(tr)	50ns
	下降时间(tf)	40ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	160uA