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IRF7105TRPBF-JSM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:7.2A
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- 描述
- 适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率控制解决方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF7105TRPBF-JSM
- 商品编号
- C18190852
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.191667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 373pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 448pF |
商品概述
IRF7105TRPBF采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。互补MOSFET可用于逆变器和其他应用。
商品特性
- N沟道
- VDS (V) = 30 V
- ID = 7.2 A(VGS = 10 V)
-RDS(ON)
- = 20 mΩ(VGS = 10 V)
- = 30 mΩ(VGS = 4.5 V)
- P沟道
- 30 V
- -6.8 A(VGS = -10 V)
-RDS(ON)
- = 36 mΩ(VGS = -10 V)
- = 48 mΩ(VGS = -4.5 V)
- 100% 进行UIS测试
- 100% 进行Rg测试
- SOP-8L
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