IRF9389TR-JSM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:7A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF9389TR-JSM
- 商品编号
- C18190911
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 759pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 139pF |
商品概述
IM2132是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺特别设计用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，以及需要在超小外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗的场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 30V,ID = 7.5A,VGS = 10V时RDS(ON) < 28mΩ
- P沟道:VDS = -30V,ID = -7A,VGS = -10V时RDS(ON) < 52mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。
应用领域
- 电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数字静态相机-LCD显示器逆变器
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