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IRLML0060TRPBF-JSM
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- N沟道,60V,4A,85mΩ@10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRLML0060TRPBF-JSM
- 商品编号
- C18190977
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0359克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 247pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IRLMLO060TRPBF-JSM采用先进沟槽技术，提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 高功率和电流处理能力
- 无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- DC/DC转换器
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