IRLML2803GTR-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 适用于电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRLML2803GTR-JSM
- 商品编号
- C18190983
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 30V/6.0A,RDS(ON) = 18mΩ(典型值)@VGS = 10V
- 30V/4.8A,RDS(ON) = 25mΩ(典型值)@VGS = 4.5V
- 专为极低的 RDS(ON) 进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合 RoHS 标准
- SOT23 封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC 转换器
- 负载开关
- 数码相机
- N 沟道 MOSFET
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