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IRLML6401GTRPBF-JSM
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
- 描述
- 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRLML6401GTRPBF-JSM
- 商品编号
- C18190989
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 989pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)），适用于多种应用场景。
商品特性
- -20V / -4.3A,RDS(ON) = 30mΩ(典型值)@VGS = -4.5V
- -20V / -3.5A,RDS(ON) = 40mΩ(典型值)@VGS = -2.5V
- -20V / -2.0A,RDS(ON) = 56mΩ(典型值)@VGS = -1.8V
- -20V / -1.0A,RDS(ON) = 85mΩ(典型值)@VGS = -1.5V
- 针对极低RDS(ON)的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23 - 3封装设计
- P沟道
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器
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