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MDD1902RH-JSM
1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
- 描述
- 适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- MDD1902RH-JSM
- 商品编号
- C18191036
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
IRLML6402G是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中，需要低线路功率损耗。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 36 A,在栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(on)
- 封装散热性能良好
应用领域
- 电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器