温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NDS332P-JSM
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
- 描述
- 应用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NDS332P-JSM
- 商品编号
- C18191107
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 989pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品概述
NDS332P是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，以及需要在非常小尺寸的表面贴装封装中实现低在线功率损耗的场景。
商品特性
- -20V/-4.3A，漏源导通电阻RDS(ON) = 30mΩ（典型值），栅源电压VGS = -4.5V时
- -20V/-3.5A，漏源导通电阻RDS(ON) = 40mΩ（典型值），栅源电压VGS = -2.5V时
- -20V/-2.0A，漏源导通电阻RDS(ON) = 56mΩ（典型值），栅源电压VGS = -1.8V时
- -20V/-1.0A，漏源导通电阻RDS(ON) = 85mΩ（典型值），栅源电压VGS = -1.5V时
- 专为极低的漏源导通电阻RDS(ON)而设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3封装设计
- P沟道
应用领域
-电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器
相似推荐
其他推荐
- NDS336P-JSM
- NDS8425-JSM
- NDS9952A-JSM
- NDS9955-JSM
- NP32N055I-JSM
- NTB25P06T4G-JSM
- NTD12N10G-JSM
- NTD14N03R-001-JSM
- NTD18N06LT4G-JSM
- NTD20N03L27-JSM
- NTD20N06LT4G-JSM
- NTD20N06T4-JSM
- NTD3055L170T4G-JSM
- NTD40N03R-JSM
- NTD4815NT4G-JSM
- NTD4860NT4G-JSM
- NTD5867NL-JSM
- NTMS4176PR2G-JSM
- NTR0202PLT1G-JSM
- NTR2101PT1G-JSM
- NTR4170NT1G-JSM