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NTB25P06T4G-JSM
1个P沟道 耐压:60V 电流:35A
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- 描述
- P沟道 耐压:-60V 电流:-35A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-35A 功率(Pd):110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,17.5A
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NTB25P06T4G-JSM
- 商品编号
- C18191132
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.643克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.489nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)
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