温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NDS9952A-JSM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:7A
- 描述
- 适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率控制解决方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NDS9952A-JSM
- 商品编号
- C18191117
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)，适用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 80A，当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 5.5mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好
相似推荐
其他推荐
- NDS9955-JSM
- NP32N055I-JSM
- NTB25P06T4G-JSM
- NTD12N10G-JSM
- NTD14N03R-001-JSM
- NTD18N06LT4G-JSM
- NTD20N03L27-JSM
- NTD20N06LT4G-JSM
- NTD20N06T4-JSM
- NTD3055L170T4G-JSM
- NTD40N03R-JSM
- NTD4815NT4G-JSM
- NTD4860NT4G-JSM
- NTD5867NL-JSM
- NTMS4176PR2G-JSM
- NTR0202PLT1G-JSM
- NTR2101PT1G-JSM
- NTR4170NT1G-JSM
- NTR4502PT1G-JSM
- NTR4503NT1G-JSM
- NVD20N03L27T-JSM