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MTB11N03Q8-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
- 描述
- 适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- MTB11N03Q8-JSM
- 商品编号
- C18191079
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 36 A，在栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻RDS(on)
- 封装散热性能良好
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