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IRLML6402TRPBF-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:13A
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- 描述
- 适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRLML6402TRPBF-JSM
- 商品编号
- C18190991
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 710pF |
商品概述
IRLML6402TRPBF是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件适用于作为负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极电荷。
商品特性
- -30V / -13A,RDS(ON) = 9mΩ(典型值)@ VGS = -10V
- -30V / -7.0A,RDS(ON) < 14.5mΩ(典型值)@ VGS = -4.5V
- 针对极低的\mathsfR\mathsfDS(\mathsfON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT - 23封装设计
- P沟道
应用领域
-用于MB/NB/UMPC/GA的高频负载点同步降压转换器-网络DC-DC电源系统-负载开关-笔记本电脑的电源管理
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