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IRLML6402TRPBF-JSM
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRLML6402TRPBF-JSM
- 商品编号
- C18190991
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 989pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计
- 湿度敏感度等级1
- 环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- VDS： - 20V
- D： - 4.2A
- RDs(ON)（在VGs = 10V时）：< 40mΩ
- 100% EAS测试
- 100% VVDs测试
应用领域
- 功率开关应用
- 不间断电源
- DC - DC转换器
- 电机驱动器
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