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IRFR9120NTRPBF-JSM
1个P沟道 耐压:100V 电流:12A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型Trench技术MOSFET，适用于电源管理、汽车电子系统、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块，为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-8.8A；RDS(ON)=250mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRFR9120NTRPBF-JSM
- 商品编号
- C18190955
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48496克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
IRLML0040TRPBF 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 IRLML0040TRPBF 符合 RoHS 和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，保证 100% 通过 EAS 测试。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -100V,漏极电流(ID) = -12A,在栅源电压(VGS) = -10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 200mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好
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