IRFR024NTR-JSM
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRFR024NTR-JSM
- 商品编号
- C18190922
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这款采用沟槽 DMOS 技术的封装集成了两个 -30V P 沟道增强型功率场效应晶体管。该先进技术经过特殊设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换流模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 20A,当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 36mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保器件可选。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 采用优秀的封装,散热性能良好。
应用领域
- 负载点（POL）应用
- 负载开关
- LED 应用
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