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IRFR5410TR-JSM
1个P沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- 专为中高压环境下消费电子设备的电源管理而设计，实现高效、稳定的开关控制，是优化系统性能的理想半导体元件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRFR5410TR-JSM
- 商品编号
- C18190949
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(on)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -100V,漏极电流(ID) = -12A,当栅源电压(VGS) = -10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 200mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 采用散热性能良好的出色封装。
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