温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFL210TRPBF-JSM
1个N沟道 耐压:200V 电流:3A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型沟道MOSFET，采用Trench技术，适合于小型模块和空间受限的应用场合。SOT223；N—Channel沟道,200V；1A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRFL210TRPBF-JSM
- 商品编号
- C18190917
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1962克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个1000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
相似推荐
其他推荐
- IRFR024NTR-JSM
- IRFR110TR-JSM
- IRFR120NTRPBF-JSM
- IRFR120TR-JSM
- IRFR130ATM-JSM
- IRFR3410TR-JSM
- IRFR3411PBF-JSM
- IRFR3411TR-JSM
- IRFR3707ZTR-JSM
- IRFR3708TR-JSM
- IRFR3910TR-JSM
- IRFR4105ZTR-JSM
- IRFR540ZPBF-JSM
- IRFR540ZTRPBF-JSM
- IRFR5410TR-JSM
- IRFR9120NTRPBF-JSM
- IRLML0030TR-JSM
- IRLML0040TRPBF-JSM
- IRLML2030TR-JSM
- IRLML2244TRPBF-JSM
- IRLML2803GTR-JSM