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IRF7413TRPBF-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
- 描述
- 应用于电脑、DC/DC转换器的电源管理等等。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF7413TRPBF-JSM
- 商品编号
- C18190881
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 30 V / 15 A,VGS = 10 V 时,RDS(ON) = 8.5 mΩ(典型值)
- 30 V / 11 A,VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) = 14 mΩ(典型值)
- 专为极低 RDS(ON) 进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合 RoHS 标准
- SOP8 封装设计
应用领域
- 高频负载点同步
- 网络 DC-DC 电源系统
- 负载开关
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