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IRF7416TRPBF-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:9.7A
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- 描述
- P沟道,-30V,-9A,18mΩ@-10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF7416TRPBF-JSM
- 商品编号
- C18190882
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 319pF |
商品概述
IRF7379TR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关及其他多种应用。
商品特性
- -30V/-9.7A,RDS(ON) = 19.5mΩ(典型值)@ VGS = -10V
- -30V/-7.0A,RDS(ON) = 23.5mΩ(典型值)@ VGS = -4.5V
- 专为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
应用领域
-高频负载点同步-网络直流-直流电源系统-负载开关
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