IRF7811WTR-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 应用于便携式设备负载开关。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF7811WTR-JSM
- 商品编号
- C18190898
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
IRFL210TRPBF 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 IRFL210TRPBF 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性验证。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 12A,当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 8mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现极低导通电阻RDS(ON)
- 散热性能良好的优秀封装
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