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IRF7314TRPBF-JSM
2个P沟道 耐压:30V 电流:9A
- 描述
- 为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是各类中低压电路的理想选择，有效提升系统能效并确保稳定运行。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF7314TRPBF-JSM
- 商品编号
- C18190867
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 216pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 305pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下具有出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -9A(VGS = -10V 时)
- Rds(on) = 14mΩ(典型值,VGS = -10V 时)
- Rds(on) = 19mΩ(典型值,VGS = -4.5V 时)
- 开关速度快
- 高功率和电流处理能力
- 封装形式:SOP-8L
- 提供无铅环保器件
应用领域
- 负载点(POL)应用
- 负载开关
- LED 应用
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