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IRF7309TRPBF-JSM
N沟道+P沟道 30V 6.8A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术MOSFET，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于逆变器和其他应用。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF7309TRPBF-JSM
- 商品编号
- C18190863
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.187333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A；6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V；18.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V；7.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF；373pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF；95pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF；140pF |
商品概述
AO3401A是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO3401A为无铅产品。
商品特性
- N沟道
- VDS (V) = 30V
- ID = 7.2A (VGS = 10V)
- RDS(ON) = 20mΩ (VGS = 10V)
- RDS(ON) = 30mΩ (VGS = 4.5V)
- P沟道
- 30V
- -6.8A (VGS = -10V)
- RDS(ON) = 36mΩ (VGS = -10V)
- RDS(ON) = 48mΩ (VGS = -4.5V)
- 100% 非钳位感应开关(UIS)测试
- 100% 栅极电阻(Rg)测试
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换
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