IRF7306TR-JSM
2个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
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- 描述
- 应用于电脑、DC/DC转换器的电源管理等等。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF7306TR-JSM
- 商品编号
- C18190862
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)，可用于多种应用。
商品特性
- -30V/-6.5A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) = 36mΩ(典型值)
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 50mΩ(典型值)
- 可靠耐用
- 有无铅环保器件可供选择(符合RoHS标准)
- 静电防护
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理
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