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IPD26N06S2L-35-JSM
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
- 描述
- 便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IPD26N06S2L-35-JSM
- 商品编号
- C18190833
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
FW342-TL采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，以及众多其他应用。
商品特性
- 漏源极电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 30A,当栅源极电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 30mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽工艺,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好
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