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TM18N06S
TM18N06S
- 描述
- N沟道,60V,18A,12mΩ@10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM18N06S
- 商品编号
- C18186765
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1543克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.888nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- 100%进行非钳位电感开关(UIS)测试
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 18A
- 导通电阻RDS(ON) = 12mΩ(典型值),栅源电压(VGS) = 10V
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)