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TMN2050D
TMN2050D
- 描述
- N沟道,20V,50A,6.3mΩ@4.5v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TMN2050D
- 商品编号
- C18186780
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45992克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@2.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.458nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 238pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 漏源电压VDS = 40V，漏极电流ID = 100A
- 栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) = 4.5 mΩ（典型值）
- 100%进行了非钳位感性负载开关（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻Rg测试
- 绿色环保产品
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)