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TM3030DF
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- N沟道,30V,33A,9mΩ@10v,P沟道,-30V,-30A,19mΩ@-10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM3030DF
- 商品编号
- C18186785
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- N沟道:
- 漏源电压VDS = 30 V,漏极电流ID = 30 A
- 在栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) = 9 mΩ
- P沟道:
- 漏源电压VDS = -30 V,漏极电流ID = -30 A
- 在栅源电压VGS = -10 V时,导通电阻RDS(ON) = 19 mΩ
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
- 经过100%栅极电阻测试
- 绿色环保产品
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)