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TMP3006MI
P沟道增强型MOSFET
- 描述
- P沟道,-30V,-6.2A,25mΩ@-10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TMP3006MI
- 商品编号
- C18186793
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0412克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 982pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)